制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-363-6
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:190 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:2 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:0.4 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:DMN3190
晶體管類(lèi)型:2 N-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值:0.7 mS
下降時(shí)間:15.6 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:8.9 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:3000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30.3 ns
典型接通延遲時(shí)間:4.5 ns
單位重量:6 mg