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| DMN30H4D0L | Low Gate Threshold Voltage | DIODES[Diodes Incorporated] | ![DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)](https://cache.ttic.cc/PdfSupLogo/41DIODES.GIF) | 383.23 Kbytes | 共6頁 |  | |
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| DMN30H4D0L_15 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODES[Diodes Incorporated] | | 383.23 Kbytes | 共6頁 | | |
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| DMN30H4D0L-13 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODES[Diodes Incorporated] | | 383.23 Kbytes | 共6頁 | | |
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| DMN30H4D0L-13 | Low Gate Threshold Voltage | DIODES[Diodes Incorporated] | | 383.23 Kbytes | 共6頁 | | |
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| DMN30H4D0L-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODES[Diodes Incorporated] | | 383.23 Kbytes | 共6頁 | | |
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| DMN30H4D0L-7 | Low Gate Threshold Voltage | DIODES[Diodes Incorporated] | | 383.23 Kbytes | 共6頁 | | |
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| DMN30H4D0LFDE-13 | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET | Diodes Incorporated | | 386.34 Kbytes | 共6頁 | | |
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| DMN30H4D0LFDE-13 | MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN | Diodes Incorporated | | 390.79 Kbytes | 共6頁 | | |
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| DMN30H4D0LFDE-7 | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET | Diodes Incorporated | | 386.34 Kbytes | 共6頁 | | |
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| DMN30H4D0LFDE-7 | MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN | Diodes Incorporated | | 390.79 Kbytes | 共6頁 | | |
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| DMN30H4D0LFDE-7 | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：550mA 漏源電壓（Vdss）：300V 柵源極閾值電壓：2.8V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：630mW 類型：N溝道 | DIODES(美臺) | | 390.79 Kbytes | 共6頁 | | |
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