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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:3.8 A

Vds-漏源極擊穿電壓:28 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:72 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :12 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

商標(biāo):Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:3.49 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:3.49 ns

系列:DMN3150L

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15.02 ns

典型接通延遲時(shí)間:1.14 ns