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DMN32D4SDW-7
規(guī)格信息:

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:標準

漏源電壓(Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):650mA

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 250mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.3nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 15V

功率 - 最大值:290mW

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供應商器件封裝:SOT-363

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖DMN32D4SDW-7
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
DMN32D4SDW-7DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)348.24 Kbytes共6頁DMN32D4SDW-7的PDF文件地址 DMN32D4SDW-7的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
DMN32D4SDW-7Low On-Resistance DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)348.24 Kbytes共6頁DMN32D4SDW-7的PDF文件地址 DMN32D4SDW-7的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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