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DMN3016LDN-13
規(guī)格信息:

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:標準

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9.2A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 11A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):11.3nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1415pF @ 15V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerVDFN

供應商器件封裝:V-DFN3030-8(J 類)

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖DMN3016LDN-13
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
DMN3016LDN-1330V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網415.16 Kbytes共7頁DMN3016LDN-13的PDF文件地址 DMN3016LDN-13的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
DMN3016LDN-13Low On-Resistance DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網415.16 Kbytes共7頁DMN3016LDN-13的PDF文件地址 DMN3016LDN-13的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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