制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):Si
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel, NPN
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10.5 mOhms, 5.2 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V, 750 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:5 V
Qg-柵極電荷:4.7 nC, 9.7 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.2 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
晶體管類型:2 N-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時間:2.3 ns, 2.9 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:2.7 ns, 3.5 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延遲時間:5.1 ns, 4.4 ns