FET類型：2 個 N 溝道（雙）
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：8.4A（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：15 毫歐 @ 12A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：25.1nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1415pF @ 15V
功率-最大值：1.2W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SO
封裝形式Package：SO
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：8.4A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs