制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:V-DFN2050-4
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:12.2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:13 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:300 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:12 V
Qg-柵極電荷:56 nC, 56 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.1 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:DMN2011
晶體管類(lèi)型:2 N-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時(shí)間:13.5 ns, 13.5 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:2.6 ns, 2.6 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:3000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:21.6 ns, 21.6 ns
典型接通延遲時(shí)間:3.6 ns, 3.6 ns