產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：NexFET MOSFET Technology
視頻文件：NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：NexFET??
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：14A（Ta），60A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：11.7 毫歐 @ 10A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：12.3nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1400pF @ 10V
功率 - 最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-SON
其它名稱：296-24260-2