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制造商:Texas Instruments

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DSBGA-6

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:3.2 A

Rds On-漏源導通電阻:44 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:6 V

Qg-柵極電荷:3.4 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.625 mm

長度:1.5 mm

系列:CSD25211W1015

晶體管類型:1 P-Channel

寬度:1 mm

商標:Texas Instruments

正向跨導 - 最小值:12 S

下降時間:14.2 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:8.8 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:36.9 ns

典型接通延遲時間:13.6 ns

單位重量:1.700 mg