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CSD25202W15T
規(guī)格信息：

制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DSBGA-9

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:4 A

Rds On-漏源導通電阻:52 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:750 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:6 V

Qg-柵極電荷:5.8 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.62 mm

長度:1.5 mm

系列:CSD25202W15

晶體管類型:1 P-Channel

寬度:1.5 mm

商標:Texas Instruments

正向跨導 - 最小值:16 S

下降時間:28 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:12 ns

工廠包裝數(shù)量:250

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:64 ns

典型接通延遲時間:15 ns

介紹圖CSD25202W15T
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
CSD25202W15T20V P-Channel NexFET Power MOSFET TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO-天天IC網(wǎng)416.25 Kbytes共12頁CSD25202W15T的PDF文件地址 CSD25202W15T的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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