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CSD25213W10
規(guī)格信息：

制造商:Texas Instruments

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DSBGA-4

通道數量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.6 A

Rds On-漏源導通電阻:67 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:850 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:6 V

Qg-柵極電荷:2.2 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.62 mm

長度:1 mm

系列:CSD25213W10

晶體管類型:1 P-Channel

寬度:1 mm

商標:Texas Instruments

下降時間:970 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:520 ns

工廠包裝數量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:1 us

典型接通延遲時間:510 ns

單位重量:1.100 mg

介紹圖CSD25213W10
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
CSD25213W10P-Channel NexFET Power MOSFET TI[Texas Instruments]TI[Texas Instruments]的LOGO-天天IC網1301.48 Kbytes共12頁CSD25213W10的PDF文件地址 CSD25213W10的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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