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CSD17579Q5AT
規(guī)格信息：

制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:VSONP-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:25 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11.6 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:5.4 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:36 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1 mm

長度:6 mm

系列:CSD17579Q5A

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.9 mm

商標:Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值:36 S

下降時間:1 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:7 ns

工廠包裝數(shù)量:250

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:13 ns

典型接通延遲時間:3 ns

單位重量:24 mg

介紹圖CSD17579Q5AT
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
CSD17579Q5AT30V N-Channel NexFET Power MOSFETs TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO-天天IC網(wǎng)351.59 Kbytes共13頁CSD17579Q5AT的PDF文件地址 CSD17579Q5AT的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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