制造商:Texas Instruments
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:VSONP-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:20 A
Rds On-漏源導通電阻:7.3 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:17.1 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:37 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.9 mm
長度:3.15 mm
系列:CSD17578Q3A
晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET
寬度:3 mm
商標:Texas Instruments
開發(fā)套件:TPS25740EVM-741, TPS25740AEVM-741, TPS25740BEVM-741
下降時間:1 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:6 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:13 ns
典型接通延遲時間:2 ns
單位重量:27.400 mg