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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:WSON-6

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:22 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:24 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:2.4 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.75 mm

長度:2 mm

系列:CSD17571Q2

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:2 mm

商標(biāo):Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值:43 S

開發(fā)套件:BOOSTXL-ULN2003

下降時(shí)間:2.6 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:19 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:8 ns

典型接通延遲時(shí)間:5.3 ns

單位重量:5.600 mg