產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：NexFET MOSFET Technology
視頻文件：PowerStack? Packaging Technology Overview
設(shè)計資源：Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
制造商產(chǎn)品頁：CSD17510Q5A Specifications
標準包裝：2,500
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：NexFET??
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：20A（Ta），100A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1250pF @ 15V
功率 - 最大值：3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-VSON（5x6）
其它名稱：296-27792-2