產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：NexFET MOSFET Technology Selecting Voltage References
視頻文件：NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
設(shè)計(jì)資源：Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
制造商產(chǎn)品頁(yè)：CSD17312Q5 Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：NexFET??
包裝：帶卷（TR）
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：38A（Ta），100A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.5 毫歐 @ 35A，8V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：36nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：5240pF @ 15V
功率 - 最大值：3.2W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝：8-SON
其它名稱：296-27613-2