制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:VSON-CLIP-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:60 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.4 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
Qg-柵極電荷:7.5 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.8 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1 mm
長(zhǎng)度:3.3 mm
系列:CSD17309Q3
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
類(lèi)型:Power MOSFET
寬度:3.3 mm
商標(biāo):Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:67 S
開(kāi)發(fā)套件:DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
下降時(shí)間:3.6 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:9.9 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.2 ns
典型接通延遲時(shí)間:6.1 ns
單位重量:44.500 mg