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CSD17313Q2
規(guī)格信息:

制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:WSON-6

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:30 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:900 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

Qg-柵極電荷:2.1 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:17 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.75 mm

長(zhǎng)度:2 mm

系列:CSD17313Q2

晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET

寬度:2 mm

商標(biāo):Texas Instruments

開發(fā)套件:TMDSCSK388, TMDSCSK8127

下降時(shí)間:1.3 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:3.9 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:4.2 ns

典型接通延遲時(shí)間:2.8 ns

單位重量:8.700 mg

介紹圖CSD17313Q2
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