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CSD17577Q5AT
規(guī)格信息：

制造商:Texas Instruments

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:VSONP-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:60 A

Rds On-漏源導通電阻:4.8 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:27 nC

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 85 C

Pd-功率耗散:53 W

配置:Single

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1 mm

長度:6 mm

系列:CSD17577Q5

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.9 mm

商標:Texas Instruments

下降時間:2 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:12 ns

工廠包裝數(shù)量:250

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:18 ns

典型接通延遲時間:3 ns

介紹圖CSD17577Q5AT
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
CSD17577Q5AT30V N-Channel NexFET Power MOSFET TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO-天天IC網373.17 Kbytes共13頁CSD17577Q5AT的PDF文件地址 CSD17577Q5AT的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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