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BSS314PE PDF文件_規(guī)格信息

BSS314PE
規(guī)格信息：

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：140.0m?

IDpuls max：-6.1A

VDS max：-30.0V

ID max：-1.5A

Package：SOT-23

Rth：250.0K/W

QG：-2.9nC

Budgetary Price ?€/1k：0.04

RDS (on) (@4.5V) max：230.0m?

Ptot max：0.5W

Coss：126.0pF

Ciss：221.0pF

VGS(th) min max：-1.0V -2.0V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSS314PE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BSS314PE	OptiMOSa?￠-P 3 Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	247.65 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS314PE	OptiMOS-P 3 Small-Signal-Transistor Enhancement mode Logic level (4.5V rated)	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	684.59 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS314PE	OptiMOSa?￠-P 3 Small-Signal-Transistor	ZPSEMI[ZP Semiconductor]	617.47 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS314PE	OptiMOS-P 3 Small-Signal-Transistor	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	535.47 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS314PE H6327	MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3	Infineon Technologies	489.81 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS314PE H6327		Infineon(英飛凌)	496.94 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS314PEH6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：1.5A 漏源電壓（Vdss）：-30V 柵源極閾值電壓：2V @ 6.3uA 漏源導(dǎo)通電阻：140mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	496.94 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS314PEH6327XT	MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3	Infineon Technologies	489.29 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS314PEH6327XTSA1	MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3	Infineon Technologies	489.29 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS314PEH6327XTSA1	MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23	Infineon Technologies	533.70 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS314PEH6327XTSA1	MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3	Infineon Technologies	533.70 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS314PEH6327XTSA1		Infineon(英飛凌)	496.94 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS314PEL6327HTSA1	MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23	Infineon Technologies	488.62 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買