兽性总裁的爱奴,盗墓笔记同人小说

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BSS306N PDF文件_規(guī)格信息

BSS306N
規(guī)格信息：

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：57.0m?

IDpuls max：9.0A

VDS max：30.0V

ID max：2.3A

Package：SOT-23

QG：1.5 nC

Budgetary Price ?€/1k：0.04

RDS (on) (@4.5V) max：93.0m?

Ptot max：0.5W

RthJA max：250.0K/W

VGS(th) min max：1.2 V 2.0 V

Coss：75.0pF

Ciss：207.0pF

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSS306N

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BSS306N	OptiMOSa?￠2 Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	271.78 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS306N	OptiMOS2 Small-Signal-Transistor Avalanche rated Qualified according to AEC Q101	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	282.14 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS306N	OptiMOSa?￠2 Small-Signal-Transistor	ZPSEMI[ZP Semiconductor]	225.01 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS306N	OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	138.32 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS306N H6327	MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3	Infineon Technologies	224.17 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS306N H6327		Infineon(英飛凌)	223.38 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS306NH6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2.3A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2V @ 11uA 漏源導(dǎo)通電阻：57mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	223.38 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS306NH6327XT	MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3	Infineon Technologies	224.17 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS306NH6327XTSA1	MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3	Infineon Technologies	224.17 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS306NH6327XTSA1	MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23	Infineon Technologies	223.38 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS306NH6327XTSA1	MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3	Infineon Technologies	223.38 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS306NH6327XTSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2.3A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2V @ 11uA 漏源導(dǎo)通電阻：57mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	223.38 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS306NL6327HTSA1	MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23	Infineon Technologies	559.89 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買