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BSS209PW PDF文件_規(guī)格信息

BSS209PW
規(guī)格信息：

標準包裝：3,000

類別：分立半導體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：OptiMOS??

包裝：帶卷（TR）

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：580mA（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：550 毫歐 @ 580mA，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 3.5µA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：1.38nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：89.9pF @ 15V

功率 - 最大值：520mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

供應商器件封裝：PG-SOT323-3

其它名稱：BSS209PWINTRBSS209PWXTBSS209PWXTINTRBSS209PWXTINTR-NDSP000013478

BSS209PW

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
BSS209PW	OptiMOS -P Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	75.35 Kbytes	共8頁	BSO4420,BSD223P,BSO4804,BSL207SP,BSO4822,BSL211SP,BSL307SP,BSO201SP,BSS223PW,BSO203P	產(chǎn)品購買
BSS209PW	OptiMOS-P Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	284.82 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSS209PW H6327	MOSFET P-Ch -20V -630mA SOT-323-3	Infineon Technologies	250.90 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS209PW H6327		Infineon(英飛凌)	250.25 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS209PW L6327	MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323	Infineon Technologies	250.25 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS209PW_06	OptiMOS-P Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	284.82 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSS209PWH6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：630mA(Tc) 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1.2V @ 3.5uA 漏源導通電阻：550mΩ @ 630mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	250.25 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS209PWH6327XTSA1	MOSFET P-Ch -20V -630mA SOT-323-3	Infineon Technologies	250.90 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS209PWH6327XTSA1	MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323	Infineon Technologies	250.25 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS209PWH6327XTSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：630mA(Tc) 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1.2V @ 3.5uA 漏源導通電阻：550mΩ @ 630mA, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	250.25 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買