唐家三少,耳根,欢乐颂第二季

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BSS308PE PDF文件_規(guī)格信息

BSS308PE
規(guī)格信息：

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：80.0m?

IDpuls max：-8.0A

VDS max：-30.0V

ID max：-2.0 A

Package：SOT-23

Rth：250.0K/W

QG：-5.0 nC

Budgetary Price ?€/1k：0.04

RDS (on) (@4.5V) max：130.0m?

Ptot max：0.5W

VGS(th) min max：-2.0 V -1.0 V

Coss：196.0pF

Ciss：376.0pF

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSS308PE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BSS308PE	OptiMOSa?￠ P3 Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	248.89 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS308PE	OptiMOS P3 Small-Signal-Transistor Enhancement mode ESD protected	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	300.31 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS308PE	OptiMOSa?￠ P3 Small-Signal-Transistor	ZPSEMI[ZP Semiconductor]	262.58 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS308PE	OptiMOS P3 Small-Signal-Transistor	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	176.24 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS308PE	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1051.07 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS308PE H6327	MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3	Infineon Technologies	240.96 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS308PE H6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：2A 漏源電壓（Vdss）：-30V 柵源極閾值電壓：2V @ 11uA 漏源導(dǎo)通電阻：80mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	240.50 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS308PEH6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：2A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2V @ 11uA 漏源導(dǎo)通電阻：80mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	240.50 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS308PEH6327XT	MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3	Infineon Technologies	240.96 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS308PEH6327XTSA1	MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3	Infineon Technologies	240.96 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS308PEH6327XTSA1	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23	Infineon Technologies	240.50 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS308PEH6327XTSA1	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3	Infineon Technologies	240.50 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS308PEH6327XTSA1		Infineon(英飛凌)	240.50 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS308PEL6327HTSA1	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3	Infineon Technologies	494.84 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買