FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：5.5A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 40μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：29nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：805pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：43 毫歐 @ 5.5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：PG-TSOP6-6
封裝/外殼：PG-TSOP6-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：30V
Id-連續(xù)漏極電流：5.5A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：74mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：SingleQuadDrain
Pd-功率耗散：2W
通道模式：Enhancement
高度：1.1mm
長度：3mm
晶體管類型：1P-Channel
寬度：1.5mm
下降時(shí)間：29ns
上升時(shí)間：8.4ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：36.4ns
典型接通延遲時(shí)間：7.3ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs