FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：4.7A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 25μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：12.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：654pF @ 15V
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：67 毫歐 @ 4.7A，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：PG-TSOP6-6
封裝/外殼：PG-TSOP6-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：20V
Id-連續(xù)漏極電流：4.7A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：67mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：12V
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：SingleQuadDrain
Pd-功率耗散：2W
通道模式：Enhancement
高度：1.1mm
長(zhǎng)度：3mm
系列：OptiMOSP
晶體管類型：1P-Channel
寬度：1.5mm
下降時(shí)間：23.3ns
上升時(shí)間：13.9ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：25ns
典型接通延遲時(shí)間：8.7ns
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs