FET 類型：P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 40μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：20nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1007pF @ 15V
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：41 毫歐 @ 6A，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：PG-TSOP6-6
封裝/外殼：PG-TSOP6-6
安裝風格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：20V
Id-連續(xù)漏極電流：6A
Rds On-漏源導通電阻：41mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：12V
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：SingleQuadDrain
Pd-功率耗散：2W
通道模式：Enhancement
高度：1.1mm
長度：3mm
晶體管類型：1P-Channel
寬度：1.5mm
下降時間：53ns
上升時間：17ns
典型關閉延遲時間：42ns
典型接通延遲時間：9ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs