封裝/外殼:PG-TSOP6-6
安裝風格:SMD/SMT
通道數(shù)量:1Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30V
Id-連續(xù)漏極電流:7.1A
Rds On-漏源導通電阻:38mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20V
最小工作溫度:-55C
最大工作溫度:+150C
配置:SingleQuadDrain
Pd-功率耗散:2W
通道模式:Enhancement
高度:1.1mm
長度:3mm
晶體管類型:1N-Channel
寬度:1.5mm
下降時間:1.9ns
上升時間:2.8ns
典型關閉延遲時間:13.7ns
典型接通延遲時間:6.4ns
Packing Type:TAPE & REEL
Moisture Level:1
RDS (on) max:25.0m?
IDpuls max:28.0A
VDS max:30.0V
ID max:7.1A
Package:TSOP-6
QG:4.4nC
Budgetary Price ?€/1k:0.13
RDS (on) (@4.5V) max:38.0m?
Operating Temperature min:-55.0°C
Ptot max:2.0W
Polarity:N
Pin Count:6.0 Pins
RthJA max:230.0K/W
VGS(th) min max:1.2 V 2.0 V
Mounting:SMD
Mode:Enhancement
Coss:202.0pF
Ciss:564.0 pF
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
BSL302SN
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產(chǎn)品購買 |
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| BSL302SN | OptiMOS2 Small-Signal-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 185.72 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| BSL302SN | OptiMOS2 Small-Signal-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 349.24 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| BSL302SN | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 1950.67 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| BSL302SN_14 | OptiMOS2 Small-Signal-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 349.24 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | MOSFET SMALL SIGNAL+N-CH | Infineon Technologies | 326.21 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6-6 | Infineon Technologies | 343.53 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 | Infineon Technologies | 343.53 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| BSL302SNL6327HTSA1 | MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 | Infineon Technologies | 343.53 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| BSL302SNL6327HTSA1 | MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 | Infineon Technologies | 343.53 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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