漏極電流（最大值）：0.47 A
頻率（最大）：Not Required MHz
柵源電壓（最大值）：?8 V
輸出功率（最大）：Not Required W
功率耗散：0.417 W
安裝：Surface Mount
噪聲系數(shù)：Not Required dB
漏源導(dǎo)通電阻：0.9 ohm
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：TO-236AB
引腳數(shù)：3
極性：P
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：1
工作溫度分類：Military
通道模式：Enhancement
漏極效率：Not Required %
漏源導(dǎo)通電壓：30 V
功率增益：Not Required dB
弧度硬化：No
連續(xù)漏極電流：0.47 A
晶體管極性：:P Channel
Continuous Drain Current Id：:-470mA
Drain Source Voltage Vds：:-30V
On Resistance Rds(on)：:0.66ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs：:-4.5V
Threshold Voltage Vgs：:-680mV
功耗：:417mW
Operating Temperature Min：:-55°C
Operating Temperature Max：:150°C
Transistor Case Style：:SOT-23
No. of Pins：:3
MSL：:MSL 1 - Unlimited
SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)
工作溫度范圍：:-55°C to +150°C
Weight (kg)：0.000008
Tariff No.：85412900