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BSC027N04LSG
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:24 A

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.7 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TDSON-8

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降時(shí)間:6.2 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:5.6 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:5000

商標(biāo)名:OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:39 ns

典型接通延遲時(shí)間:9.8 ns

零件號別名:BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGXT SP000354810

介紹圖BSC027N04LSG
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
BSC027N04LSGOptiMOSa?¢3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)386.68 Kbytes共10頁BSC027N04LSG的PDF文件地址 BSC027N04LSG的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
BSC027N04LSGATMA1MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.71 Mbytes共12頁BSC027N04LSGATMA1的PDF文件地址 BSC027N04LSGATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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BSC027N04LSGATMA1連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):24A 漏源電壓(Vdss):40V 柵源極閾值電壓:2V @ 49uA 漏源導(dǎo)通電阻:2.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 類型:N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)376.84 Kbytes共10頁BSC027N04LSGATMA1的PDF文件地址 BSC027N04LSGATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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