商品類型MOS(場效應管)
漏源電壓(Vdss)60V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)100A(Tc)
柵源極閾值電壓3.3V @ 95uA
漏源導通電阻1.6mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)167W(Tc)
類型N溝道
BSC016N06NST
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| BSC016N06NST | OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 1416.65 Kbytes | 共13頁 | 產品購買 | ||||
| BSC016N06NSTATMA1 | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | Infineon Technologies | 1.29 Mbytes | 共13頁 | 產品購買 | ||||
| BSC016N06NSTATMA1 | DIFFERENTIATED MOSFETS | Infineon Technologies | 1.29 Mbytes | 共13頁 | 產品購買 |
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