制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
商標(biāo):Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:28 A
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.6 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :16 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TDSON-8
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single Quad Drain Triple Source
下降時間:16 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:16 ns
系列:OptiMOS 3M
工廠包裝數(shù)量:5000
商標(biāo)名:OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時間:42 ns
典型接通延遲時間:31 ns
零件號別名:BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGXT SP000311502
BSC016N03MSG
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC016N03MSG | OptiMOSa?¢3 M-Series Power-MOSFET | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 298.38 Kbytes | 共10頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| BSC016N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON | Infineon Technologies | 1.21 Mbytes | 共12頁 | 產(chǎn)品購買 |
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