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BSC015NE2LS5I
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TDSON-8

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：1.5m?

IDpuls max：400.0A

VDS max：25.0V

ID max：100.0A

Package：SuperSO8

Rth：2.5K/W

QG：10.5nC

Budgetary Price ?€/1k：0.45

RDS (on) (@4.5V) max：2.2m?

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：50.0W

Polarity：N

Pin Count：8.0Pins

RthJA max：50.0K/W

Mounting：SMD

Coss：750.0pF

Ciss：1500.0pF

VGS(th) min max：1.2V 2.0V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BSC015NE2LS5I	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1572.28 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
BSC015NE2LS5I_15	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1572.28 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
BSC015NE2LS5IATMA1	MOSFET LV POWER MOS	Infineon Technologies	1.48 Mbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
BSC015NE2LS5IATMA1	MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8	Infineon Technologies	1.27 Mbytes	共12頁	產(chǎn)品購買