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BSC026N04LS
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TDSON-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Rds On-漏源導通電阻:2.1 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:45 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:63 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.27 mm

長度:5.9 mm

系列:OptiMOS 5

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.15 mm

商標:Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值:85 S

下降時間:4 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:4 ns

工廠包裝數(shù)量:5000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:37 ns

典型接通延遲時間:5 ns

零件號別名:BSC026N04LSATMA1 SP001067014

介紹圖BSC026N04LS
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
BSC026N04LSOptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1463.16 Kbytes共13頁BSC026N04LS的PDF文件地址 BSC026N04LS的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
BSC026N04LSATMA1MOSFET MV POWER MOSInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.36 Mbytes共13頁BSC026N04LSATMA1的PDF文件地址 BSC026N04LSATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
BSC026N04LSATMA1MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSONInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.36 Mbytes共13頁BSC026N04LSATMA1的PDF文件地址 BSC026N04LSATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
BSC026N04LSATMA1連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):23A 漏源電壓(Vdss):40V 柵源極閾值電壓:2V @ 250uA 漏源導通電阻:2.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 類型:N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)1.43 Mbytes共13頁BSC026N04LSATMA1的PDF文件地址 BSC026N04LSATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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