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BSC022N04LS PDF文件_規(guī)格信息

BSC022N04LS
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TDSON-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Rds On-漏源導通電阻:1.8 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:52 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.27 mm

長度:5.9 mm

系列:OptiMOS 5

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.15 mm

商標:Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值:90 S

下降時間:5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:6.8 ns

工廠包裝數(shù)量:5000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:26 ns

典型接通延遲時間:6.1 ns

零件號別名:BSC022N04LSATMA1 SP001059844

BSC022N04LS

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BSC022N04LS	OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1463.2 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
BSC022N04LS6	OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1522.46 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
BSC022N04LS6		Infineon(英飛凌)	1.56 Mbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
BSC022N04LS6ATMA1	MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON	Infineon Technologies	1.49 Mbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
BSC022N04LSATMA1	MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3	Infineon Technologies	1.35 Mbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
BSC022N04LSATMA1	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8	Infineon Technologies	1.35 Mbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
BSC022N04LSATMA1	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6	Infineon Technologies	1.35 Mbytes	共13頁	產(chǎn)品購買

BSC022N04LS相關(guān)型號PDF文件資料

BSC022N04LS相關(guān)型號規(guī)格信息

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產(chǎn)品分類