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BSB024N03LXG
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

RoHS:

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:27 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導通電阻:2.4 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.8 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:WDSON-2

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Dual Source

下降時間:5.6 ns

最小工作溫度:- 40 C

上升時間:7 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

典型關閉延遲時間:35 ns

典型接通延遲時間:8.4 ns

零件號別名:BSB024N03LXGXT

介紹圖BSB024N03LXG
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
BSB024N03LXGOptiMOS2 Power-MOSFET INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)290.07 Kbytes共11頁BSB024N03LXG的PDF文件地址 BSB024N03LXG的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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