數(shù)據(jù)列表：BSB012NE2LX
標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：OptiMOS??
包裝：帶卷（TR）
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：37A（Ta），170A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.2 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：67nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：4900pF @ 12V
功率 - 最大值：2.8W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：3-WDSON
供應(yīng)商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?
其它名稱(chēng)：BSB012NE2LX-NDBSB012NE2LXXUMA1SP000756344