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BSB008NE2LX
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:WDSON-2-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:25 V

Id-連續(xù)漏極電流:180 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:600 uOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:343 nC

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:89 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標(biāo)名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.7 mm

長度:6.35 mm

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.05 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值:120 S

下降時(shí)間:32.4 ns

濕度敏感性:Yes

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:47.2 ns

工廠包裝數(shù)量:5000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:75 ns

典型接通延遲時(shí)間:12.6 ns

零件號(hào)別名:BSB008NE2LXXUMA1 BSB8NE2LXXT SP000880866

介紹圖BSB008NE2LX
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BSB008NE2LXXTMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOSInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.42 Mbytes共14頁BSB008NE2LXXT的PDF文件地址 BSB008NE2LXXT的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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