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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:31 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.9 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.8 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:WDSON-2

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Dual Drain Dual Source

下降時(shí)間:6.4 ns

最小工作溫度:- 40 C

上升時(shí)間:7.8 ns

工廠包裝數(shù)量:5000

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:42 ns

典型接通延遲時(shí)間:10 ns

零件號別名:BSB019N03LXGXT