制造商:Microchip
產(chǎn)品種類(lèi):射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS:是
晶體管極性:N-Channel
技術(shù):Si
Id-連續(xù)漏極電流:10 A
Vds-漏源極擊穿電壓:500 V
增益:15 dB
輸出功率:900 W
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
封裝:Box
工作頻率:150 MHz
工作溫度范圍:- 55 C to + 175 C
類(lèi)型:RF Power MOSFET
商標(biāo):Microchip / Microsemi
正向跨導(dǎo) - 最小值:3 mS
下降時(shí)間:4 ns
Pd-功率耗散:910 W
產(chǎn)品類(lèi)型:RF MOSFET Transistors
上升時(shí)間:4.1 ns
工廠包裝數(shù)量:1
子類(lèi)別:MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3.3 V