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制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

晶體管極性:N-Channel

技術(shù):Si

Id-連續(xù)漏極電流:9 A

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

增益:15 dB

輸出功率:100 W

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

封裝:Tube

工作頻率:100 MHz

工作溫度范圍:- 55 C to + 150 C

類型:RF Power MOSFET

商標(biāo):Microchip / Microsemi

正向跨導(dǎo) - 最小值:2 mS

通道模式:Enhancement

下降時(shí)間:4.2 ns

Pd-功率耗散:180 W

產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors

上升時(shí)間:4.3 ns

工廠包裝數(shù)量:1

子類別:MOSFETs

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V

單位重量:38 g