制造商:Microchip
產品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS:是
晶體管極性:N-Channel
技術:Si
Id-連續(xù)漏極電流:6.5 A
Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV
增益:13 dB
輸出功率:150 W
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
封裝:Tube
工作頻率:65 MHz
類型:RF Power MOSFET
商標:Microchip / Microsemi
正向跨導 - 最小值:3 mS
通道數量:1 Channel
Pd-功率耗散:250 W
產品類型:RF MOSFET Transistors
工廠包裝數量:1
子類別:MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V