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制造商:Microchip

產品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

晶體管極性:N-Channel

技術:Si

Id-連續(xù)漏極電流:10 A

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

增益:15 dB

輸出功率:900 W

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

封裝:Box

工作頻率:150 MHz

工作溫度范圍:- 55 C to + 175 C

類型:RF Power MOSFET

商標:Microchip / Microsemi

正向跨導 - 最小值:3 mS

下降時間:4 ns

Pd-功率耗散:910 W

產品類型:RF MOSFET Transistors

上升時間:4.1 ns

工廠包裝數量:1

子類別:MOSFETs

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.3 V