制造商:Microchip
產(chǎn)品種類(lèi):IGBT 晶體管
RoHS:是
技術(shù):Si
封裝 / 箱體:TO-247-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:900 V
集電極—射極飽和電壓:2.5 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:30 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:48 A
Pd-功率耗散:223 W
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
封裝:Tube
集電極最大連續(xù)電流 Ic:48 A
高度:4.69 mm
長(zhǎng)度:20.8 mm
工作溫度范圍:- 55 C to + 150 C
寬度:15.49 mm
商標(biāo):Microchip / Microsemi
集電極連續(xù)電流:48 A
柵極—射極漏泄電流:100 nA
產(chǎn)品類(lèi)型:IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量:1
子類(lèi)別:IGBTs
單位重量:38 g