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制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:T-MAX-3

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:27 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:480 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:300 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.135 kW

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:POWER MOS 8

封裝:Tube

高度:5.31 mm

長度:21.46 mm

寬度:16.26 mm

商標(biāo):Microchip / Microsemi

正向跨導(dǎo) - 最小值:31 S

下降時間:48 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:31 ns

工廠包裝數(shù)量:1

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:170 ns

典型接通延遲時間:50 ns