數(shù)據(jù)列表：APT25GP90BDQ1(G)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：IGBT - 單路
系列：POWER MOS 7®
包裝：管件
IGBT 類(lèi)型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）：72A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)：110A
不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）：3.9V @ 15V，25A
功率 - 最大值：417W
開(kāi)關(guān)能量：370µJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：110nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：13ns/55ns
測(cè)試條件：600V，40A，4.3 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：-
封裝/外殼：TO-247-3
安裝類(lèi)型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247 [B]
其它名稱(chēng)：APT25GP90BDQ1GMIAPT25GP90BDQ1GMI-ND