制造商:Microchip
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
Id-連續(xù)漏極電流:23 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:400 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:150 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:625 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:POWER MOS 8
封裝:Tube
高度:5.31 mm
長(zhǎng)度:21.46 mm
寬度:16.26 mm
商標(biāo):Microchip / Microsemi
正向跨導(dǎo) - 最小值:21 S
下降時(shí)間:33 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:38 ns
工廠包裝數(shù)量:1
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:115 ns
典型接通延遲時(shí)間:26 ns
單位重量:38 g