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APT20M38BVR
規(guī)格信息：

最大門(mén)源電壓：±30

歐盟RoHS指令：Not Compliant

最高工作溫度：150

通道模式：Enhancement

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱(chēng)：TO-247

最低工作溫度：-55

渠道類(lèi)型：N

最大漏源電阻：38@10V

最大漏源電壓：200

每個(gè)芯片的元件數(shù)：1

供應(yīng)商封裝形式：TO-247

最大功率耗散：370000

最大連續(xù)漏極電流：67

引腳數(shù)：3

鉛形狀：Through Hole

APT20M38BVR

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
APT20M38BVR	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.	ADPOW[Advanced Power Technology]	73.81 Kbytes	共4頁(yè)	APT10045JFLL,APT10086BLC,APT10M25BVFR,APT12067JLL,APT30M70BVFR,APT40M35JVR,APT5024BFLL,APT50M50JVFR,APT50M75JLLU2,APT6013B2LL	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
APT20M38BVR	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	420.25 Kbytes	共2頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
APT20M38BVRG	MOSFET Power MOSFET - MOS5	Microsemi	74.70 Kbytes	共4頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
APT20M38BVRG	MOSFET N-CH 200V 67A TO-247	Microchip Technology	73.83 Kbytes	共4頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)