FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：97A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 2.5mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：290nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：8500pF @ 25V
功率耗散（最大值）：450W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 48.5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
供應(yīng)商器件封裝：SOT-227
封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs