制造商:Microchip
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D3PAK-3
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:67 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:38 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:148 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:370 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:Power MOS V
封裝:Tube
高度:5.08 mm
長(zhǎng)度:16.05 mm
寬度:13.99 mm
商標(biāo):Microchip / Microsemi
下降時(shí)間:10 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:21 ns
工廠包裝數(shù)量:1
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:48 ns
典型接通延遲時(shí)間:14 ns
單位重量:38 g